收藏本站
DMP2004TK
0
0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Ambient Temperature
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
10
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance vs.
Drain-Source Current
DMP2004TK
Document number: DS30932 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP2004VK-7 MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563
DMP2004WK-7 MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
DMP2012SN-7 MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
DMP2018LFK-7 MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
DMP2022LSS-13 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
DMP2035U-7 MOSFET P-CH SOT-23
DMP2035UTS-13 MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
DMP2035UVT-7 MOSFET P CH 20V 6A TSOT26
相关代理商/技术参数
DMP2004VK 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET PP CH 20V 0.53A SOT563 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, PP CH, 20V, 0.53A, SOT563
DMP2004VK-7 功能描述:MOSFET Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2004WK 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH ESD 20V 0.4A SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, ESD, 20V, 0.4A, SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, ESD, 20V, 0.4A, SOT323; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-400mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:250mW ;RoHS Compliant: Yes
DMP2004WK-7 功能描述:MOSFET 250mW -20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2012SN 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2012SN_0711 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2012SN-7 功能描述:MOSFET 20V 700mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2018LFK 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET